So Dimm Ddr4 16Gb

Atmiņas jauninājums, kas piedāvā vairāk DDR4 UDIMM atmiņas sērija ir izstrādāta, lai palīdzētu jūsu sistēmai darboties ātrāk un vienmērīgāk. Turklāt DDR4 tehnoloģija ir līdz pat divas reizes ātrāka nekā tās priekšgājējs DDR3, piedāvājot lielāku joslas platumu un lielāku energoefektivitāti. P. Papildu krātuve, papildu enerģijas ietaupījums Vairāk atmiņas ir vienkāršs risinājums lēnam datoram, taču tas var arī palielināt enerģijas patēriņu un kopējo sistēmas aparatūras slodzi. Papildus veiktspējas uzlabošanai DDR4 UDIMM sērija nodrošina viedāku enerģijas patēriņu ar zemāku spriegumu 1,2 V. Tas samazina enerģijas patēriņu salīdzinājumā ar esošo 1,5 V DDR3 moduli. Turklāt lielāka siltuma izkliede nodrošina datora darbību zemākā temperatūrā, nodrošinot lielāku stabilitāti un ilgāku aparatūras kalpošanas laiku. Saderīgs jūsu ērtībām Šī DDR4 UDIMM sērija ir saderīga ar plašu galddatoru klāstu. Šī atmiņas moduļa pielāgojamība ļauj izvairīties no nejaušas atkārtotas palaišanas un ziliem ekrāniem, kas saistīti ar nestabilu un nesaderīgu atmiņas moduli. Parametrs Vērtība Atmiņas veids SODIMM DDR4 Kopējā atmiņas ietilpība 16 GB Atmiņas kopnes frekvence 2666 MHz Atmiņas karšu skaits komplektā 1 CAS latentums CL19 ECC atbalsts Jā

Patriot PSD416G24002S ir 16 GB DDR4-2400 atmiņas modulis (PC4-19200) no Signature Line sērijas. SO-DIMM ir ieprogrammēts latentumam 17-17-17-39 pie 2400 MHz, un tam ir nepieciešami 1,2 volti. Tips SDRAM DDR4 EAN 0814914023471 Ražotāja Nr. PSD416G24002S sērija Paraksta rinda jaudu 16 GB numuru 1 gab dizains SO DIMM montāža divpusējs savienojums 260 tapas spriedze 1,2 volti noklusējuma DDR4-2400 (PC4-19200) fiziskais pulkstenis 1200MHz hronometrāžas CAS latentums (CL) 17 Aizkave no RAS uz CAS (tRCD) 17 RAS priekšlādēšanas laiks (tRP) 17 Rindas aktīvais laiks (tRAS) 39 Sīkāka informācija DDR4 ir DDR3 tālāka attīstība un piedāvā virkni jauninājumu un priekšrocību salīdzinājumā ar tā priekšgājēju, piemēram, līdz pat 40% mazāku enerģijas patēriņu, lielāku ātrumu, lielāku datu blīvumu (iespējo atmiņas moduļus ar ietilpību līdz 128 GB, in nākotnē līdz 512 GB), kā arī uzlabota darbības stabilitāte, izmantojot uzlabotas kļūdu labošanas metodes, piemēram, CRC (cikliskā redundances pārbaude), CMD/ADD (čipu paritātes noteikšana) un "Per DRAM adresējamība". Svars 20 grami

Patriot's Signature Line atmiņa nodrošina kvalitāti, uzticamību un veiktspēju, kas sagaidāma mūsdienu galvenajām datoru vajadzībām. Šī DRAM ir izveidota, lai nodrošinātu labāku vispārējo sistēmas reakciju, izmantojot prasīgas lietojumprogrammas. Izgatavots, izmantojot augstākās kvalitātes komponentus un pārbaudīts ar rokām, Patriot nodrošina, ka katrs modulis atbilst un pārsniedz nozares standartus, lai piedāvātu jums bezrūpīgu plug-and-play atmiņas jaunināšanu. Ar bezmaksas klientu apkalpošanu un mūža garantiju Patriot's Signature Line DDR4 atmiņas moduļi ir ideāls risinājums jebkurai datora sistēmas izveidei vai jaunināšanai ātrākai veiktspējai. Parametrs Vērtība Ražotājs - PATRIOTS CL - 19 Frekvences ātrums - 2666 MHz Atmiņas moduļa ietilpība - 16 GB Atmiņu sērija - Paraksta līnija Atmiņas veids - DDR4 Moduļa formas faktors - 260 kontaktu SO DIMM Nominālais spriegums - 1,2 V Kopējā jauda - 16 GB

Mushkin MES4S293MF16G ir 16 GB DDR4-2933 atmiņas modulis (PC4-23400) no sērijas Essentials. Ietilpība ir 8 GB. 260 kontaktu nebuferētais SO-DIMM ir piemērots atmiņas pulkstenim līdz 2933 MHz ar latentumu 21-21-21-47. Modulim nepieciešami 1,2 volti. Tips SDRAM DDR4 EAN 0846651029065 Ražotāja Nr. MES4S293MF16G sērija Essentials jaudu 16 GB numuru 1 gab dizains SO DIMM savienojums 260 tapas spriedze 1,2 volti noklusējuma DDR4-2933 (PC4-23400) fiziskais pulkstenis 1467 MHz hronometrāžas CAS latentums (CL) 21 Aizkave no RAS uz CAS (tRCD) 21 RAS priekšlādēšanas laiks (tRP) 21 Rindas aktīvais laiks (tRAS) 47 Sīkāka informācija DDR4 ir DDR3 tālāka attīstība un piedāvā virkni jauninājumu un priekšrocību salīdzinājumā ar tā priekšgājēju, piemēram, līdz pat 40% mazāku enerģijas patēriņu, lielāku ātrumu, lielāku datu blīvumu (iespējo atmiņas moduļus ar ietilpību līdz 128 GB, in nākotnē līdz 512 GB), kā arī uzlabota darbības stabilitāte, izmantojot uzlabotas kļūdu labošanas metodes, piemēram, CRC (cikliskā redundances pārbaude), CMD/ADD (čipu paritātes noteikšana) un "Per DRAM adresējamība".

Mushkin MES4S240HF16G ir 16 GB DDR4-2400 atmiņas modulis no Essentials sērijas. 260 kontaktu nebuferētais SO-DIMM ir piemērots atmiņas pulkstenim līdz 2400 MHz ar CAS latentumu 17. Modulim nepieciešami 1,2 volti. Tips SDRAM DDR4 EAN 0846651026972 Ražotāja Nr. MES4S240HF16G sērija Būtiski jaudu 16 GB numuru 1 gab dizains SO DIMM savienojums 260 tapas spriedze 1,2 volti noklusējuma DDR4-2400 (PC4-19200) fiziskais pulkstenis 1200MHz hronometrāžas CAS latentums (CL) 17 Sīkāka informācija DDR4 ir DDR3 tālāka attīstība un piedāvā virkni jauninājumu un priekšrocību salīdzinājumā ar tā priekšgājēju, piemēram, līdz pat 40% mazāku enerģijas patēriņu, lielāku ātrumu, lielāku datu blīvumu (iespējo atmiņas moduļus ar ietilpību līdz 128 GB, in nākotnē līdz 512 GB), kā arī uzlabota darbības stabilitāte, izmantojot uzlabotas kļūdu labošanas metodes, piemēram, CRC (cikliskā redundances pārbaude), CMD/ADD (čipu paritātes noteikšana) un "Per DRAM adresējamība". svars 17 grami

Mushkin MES4S213FF16G28 ir 16 GB DDR4-2133 atmiņas modulis no Essentials sērijas. SO-DIMM modulis atbilst PC4-17000 standartam un ir piemērots atmiņas pulkstenim līdz 2133 MHz ar latentumu 15-15-15-35. Modulim nepieciešams 1,2 voltu spriegums. Tips SDRAM DDR4 EAN 0846651025128 Ražotāja Nr. MES4S213FF16G28 sērija Essentials jaudu 16 GB numuru 1 gab dizains SO DIMM savienojums 260 tapas spriedze 1,2 volti noklusējuma DDR4-2133 (PC4-17000) fiziskais pulkstenis 1067 MHz hronometrāžas CAS latentums (CL) 15 Aizkave no RAS uz CAS (tRCD) 15 RAS priekšlādēšanas laiks (tRP) 15 Rindas aktīvais laiks (tRAS) 35 Sīkāka informācija DDR4 ir DDR3 tālāka attīstība un piedāvā virkni jauninājumu un priekšrocību salīdzinājumā ar tā priekšgājēju, piemēram, līdz pat 40% mazāku enerģijas patēriņu, lielāku ātrumu, lielāku datu blīvumu (iespējo atmiņas moduļus ar ietilpību līdz 128 GB, in nākotnē līdz 512 GB), kā arī uzlabota darbības stabilitāte, izmantojot uzlabotas kļūdu labošanas metodes, piemēram, CRC (cikliskā redundances pārbaude), CMD/ADD (čipu paritātes noteikšana) un "Per DRAM adresējamība". svars 16 grami